Infineon FRAM-Speicher 1MBit, 128 K x 8 Seriell-I2C SOIC 8-Pin

Infineons FRAM ist ein nichtflüchtiger 1-Mbit-Speicher, der in einem fortschrittlichen ferroelektrischen Verfahren hergestellt wird. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenaufbewahrung für 151 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden. Im Gegensatz zu EEPROM führt es Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus. Es entstehen keine Schreibverzögerungen. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Der nächste Buszyklus kann beginnen, ohne dass eine Datenabfrage erforderlich ist. Darüber hinaus bietet das Produkt im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern eine hohe Schreibbeständigkeit.

RoHS-konform
Geringer Stromverbrauch
Schnelle serielle 2-Draht-Schnittstelle
Hohe Ausdauer, 100 Billionen Lese- und Schreibvorgänge
Fortschrittlicher ferroelektrischer Prozess mit hoher Zuverlässigkeit