ROHM Gate-Ansteuerungsmodul 650V 46-Pin VQFN046V8080 3ns

Der ROHM Nano Cap EcoGaN 70mΩ 2MHz GaN HEMT Endstufen-IC ist für den langfristigen Einsatz in industriellen Anwendungen konzipiert und bietet eine hohe Leistungsdichte und Effizienz. Durch die Integration eines GaN-HEMTs mit 650 V Spannungserhöhung und eines Siliziumtreibers in das Originalgehäuse von ROHM wird die parasitäre Induktivität im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen erheblich reduziert. Dies ermöglicht eine hohe Schaltanstiegsgeschwindigkeit von bis zu 150 V/ns bei gleichzeitiger Beibehaltung der einstellbaren Gate-Ansteuerungsstärke für geringe EMI. Der IC enthält verschiedene Schutzfunktionen und zusätzliche Funktionen zur Optimierung von Kosten und Leiterplattengröße. Er ist für die Kompatibilität mit den wichtigsten bestehenden Steuerungen ausgelegt und dient als idealer Ersatz für herkömmliche diskrete Leistungsschalter, wie z. B. Super Junction MOSFETs.

Long Time Support Produkt für industrielle Anwendungen
Großer Betriebsbereich für VDD-Pin-Spannung
Großer Betriebsbereich für IN-Pin-Spannung
Niedriger VDD-Ruhestrom und Betriebsstrom
Geringe Ausbreitungsverzögerung
Power Good Signal Ausgang
Einstellbare Stärke des Torantriebs