Semikron Gate-Ansteuerungsmodul CMOS 15 A 15V
- RS Best.-Nr.:
- 122-0385
- Herst. Teile-Nr.:
- SKYPER 12 press-fit C 300A
- Marke:
- Semikron
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 122-0385
- Herst. Teile-Nr.:
- SKYPER 12 press-fit C 300A
- Marke:
- Semikron
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron | |
| Logik-Typ | CMOS | |
| Ausgangsstrom | 15 A | |
| Versorgungsspannung | 15V | |
| Montage-Typ | PCB-Montage | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron | ||
Logik-Typ CMOS | ||
Ausgangsstrom 15 A | ||
Versorgungsspannung 15V | ||
Montage-Typ PCB-Montage | ||
SKYPER® 12-Presssitz-IGBT-Treibermodul
Die Semikron SKYPER® 12-Presssitz-Module sind IGBT-Treiber für SEMiX-Presssitz- und Econodual-Presssitz-IGBT-Module. Die Halbbrücken-Treiberplatinen können direkt auf 17 mm Presssitz-Module montiert werden. Mit 30 % weniger Bauteilen als andere Plug-and-Play-Lösungen erreichen diese Treiber eine MTBF-Rate von über 5 Millionen Stunden bei voller Last und die 1 W pro Kanalausgang können IGBTs mit Nennwerten von bis zu 600 A und 1700 V antreiben.
Geeignete IGBT-Module siehe 122-0385 bis 122-0387
Geeignete IGBT-Module siehe 122-0385 bis 122-0387
Für 1200 V und 1700 V IGBT-Module
Antrieb für Econodual- und SEMiX-Presssitz-Module
Zwei 1 W Ausgangskanäle für Halbbrücken-Anwendungen
Bis zu 8 μC Gate-Ladungs-Ausgangsleistung
Qualifizierter sicherer Betriebsbereich sorgt für bestmögliche Leistung
Hohe Zuverlässigkeit mit MTBF-Rate > 5 Millionen Stunden
Kurzschlussgeschützt über den gesamten Betriebstemperaturbereich hinweg
Dynamischer Kurzschlussschutz (DSCP) durch VCE-Überwachung und direkte sanfte Abschaltung
Robuste Rechtecksignalübertragung
Hohe Störfestigkeit mit kurzer Impulsunterdrückung und robuster Schnittstelle
Isolierte Übertemperaturauslösung auf Sekundärseite
Primärer und sekundärer Unterspannungsschutz
Integrierte isolierte Stromversorgung für die Sekundärseite
Antrieb für Econodual- und SEMiX-Presssitz-Module
Zwei 1 W Ausgangskanäle für Halbbrücken-Anwendungen
Bis zu 8 μC Gate-Ladungs-Ausgangsleistung
Qualifizierter sicherer Betriebsbereich sorgt für bestmögliche Leistung
Hohe Zuverlässigkeit mit MTBF-Rate > 5 Millionen Stunden
Kurzschlussgeschützt über den gesamten Betriebstemperaturbereich hinweg
Dynamischer Kurzschlussschutz (DSCP) durch VCE-Überwachung und direkte sanfte Abschaltung
Robuste Rechtecksignalübertragung
Hohe Störfestigkeit mit kurzer Impulsunterdrückung und robuster Schnittstelle
Isolierte Übertemperaturauslösung auf Sekundärseite
Primärer und sekundärer Unterspannungsschutz
Integrierte isolierte Stromversorgung für die Sekundärseite
MOSFET- und IGBT-Treiber, Semikron
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