ROHM Leistungs-Transistor 20 A 750 V 8.7 ns
- RS Best.-Nr.:
- 264-697
- Herst. Teile-Nr.:
- GNP1070TC-ZE2
- Marke:
- ROHM
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- GNP1070TC-ZE2
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Ausgangsstrom | 20A | |
| Abfallzeit | 8.7ns | |
| Anstiegszeit | 6.9ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 24V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 750V | |
| Betriebstemperatur min. | -10°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | GNP1070TC NA | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Ausgangsstrom 20A | ||
Abfallzeit 8.7ns | ||
Anstiegszeit 6.9ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 24V | ||
Maximale Versorgungsspannung 750V | ||
Betriebstemperatur min. -10°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie GNP1070TC NA | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der ROHM E-Mode Gallium-Nitrid (GaN) FET ist ein 650V GaN HEMT, der die höchste FOM-Klasse der Branche erreicht hat (Ron Ciss Ron Coss). Es handelt sich um ein Produkt der EcoGaN-Serie, das durch die optimale Nutzung des niedrigen ON-Widerstands und der hohen Schaltgeschwindigkeit zur Leistungsumwandlungseffizienz und Größenreduzierung beiträgt. Die eingebaute ESD-Schutzfunktion sorgt für hohe Zuverlässigkeit. Darüber hinaus bieten die äußerst vielseitigen Gehäuse eine hervorragende Wärmeableitung und erleichtern die Montage.
650V E-Mode GaN FET
70mΩ Widerstand
5,2nC Gate-Ladung
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