ROHM GNP1150TCA-ZE2 GaN-FET 11 A 1 8-Pin 650 V 8.3 ns

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264-698
Herst. Teile-Nr.:
GNP1150TCA-ZE2
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

GaN-FET

Ausgangsstrom

11A

Pinanzahl

8

Abfallzeit

8.3ns

Anzahl der Ausgänge

1

Anstiegszeit

5.3ns

Maximale Versorgungsspannung

650V

Anzahl der Treiber

1

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

8mm

Breite

8 mm

Serie

GNP1150TCA-Z NA

Höhe

0.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der ROHM E-Mode Gallium-Nitrid (GaN) FET ist ein 650V GaN HEMT, der die höchste FOM-Klasse der Branche erreicht hat (Ron Ciss Ron Coss). Es handelt sich um ein Produkt der EcoGaN-Serie, das durch die optimale Nutzung des niedrigen ON-Widerstands und der hohen Schaltgeschwindigkeit zur Leistungsumwandlungseffizienz und Größenreduzierung beiträgt. Die eingebaute ESD-Schutzfunktion sorgt für hohe Zuverlässigkeit. Darüber hinaus bieten die äußerst vielseitigen Gehäuse eine hervorragende Wärmeableitung und erleichtern die Montage.

650V E-Mode GaN FET

70mΩ Widerstand

5,2nC Gate-Ladung

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