Microchip MIC4102YM-TR Gate-Treiber Low-Side 3 A 1 8-Pin ePAD SOIC-8L 20 V 13 ns
- RS Best.-Nr.:
- 598-028
- Herst. Teile-Nr.:
- MIC4102YM-TR
- Marke:
- Microchip
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- MIC4102YM-TR
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 3A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 13ns | |
| Gehäusegröße | ePAD SOIC-8L | |
| Treiber-Typ | Low-Side | |
| Anstiegszeit | 12ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 3 mm | |
| Serie | MIC4120/4129 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 3A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 13ns | ||
Gehäusegröße ePAD SOIC-8L | ||
Treiber-Typ Low-Side | ||
Anstiegszeit 12ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 3 mm | ||
Serie MIC4120/4129 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Gate-Treiber von Microchip wurde entwickelt, um außergewöhnliche Leistung für Hochgeschwindigkeitsanwendungen zu liefern. Seine fortschrittliche Architektur ermöglicht die optimale Steuerung von MOSFETs und sorgt für schnelles Schalten und präzises Timing. Egal, ob in Leistungsmanagement- oder Motorsteuerungsanwendungen eingesetzt, dieser Treiber zeichnet sich durch seine Fähigkeit aus, hohe Spitzenausgangsströme zu liefern und gleichzeitig einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand aufrechtzuerhalten. Mit einem kompakten Gehäuse und einem großen Betriebsspannungsbereich ist der MIC4102 ideal für verschiedene Konfigurationen und lässt sich leicht in vorhandene Designs integrieren. Mit seiner verbesserten Effizienz und Zuverlässigkeit unterstützt es Ingenieure dabei, die Grenzen der Leistung in ihren Projekten zu drücken.
Liefert hohe Spitzenausgangsströme, um eine schnelle MOSFET-Schaltung zu gewährleisten
Aufrechterhält einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand für verbesserten Wirkungsgrad und reduzierten Leistungsverlust
Funktioniert effektiv über einen großen Spannungsbereich hinweg und erhöht die Flexibilität des Designs
Kompaktes Gehäuse vereinfacht die Integration in Anwendungen mit begrenztem Platzangebot
Bietet präzise Zeitsteuerung für optimale Systemleistung
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