STMicroelectronics Gate-Treiber Hochspannung 16 A 2 35-Pin QFN 21V 4 ns

Das Advanced Power System-In-Package von STMicroelectronics integriert zwei Enhancement-Modus-GaN-Transistoren in einer Halbbrückenkonfiguration, die von einem Hochspannungs-Hochfrequenz-Gate-Treiber angetrieben wird. Die integrierten Leistungs-GaNs haben eine typische RDS(ON) von 140 mΩ und 650 V Ablassquellenblockierungsspannung. Es verfügt über lineare Regler sowohl auf den unteren als auch auf den oberen Antriebsabschnitten, um die Antriebseffizienz zu optimieren. Die hohe Seite des integrierten Gate-Treibers kann über die integrierte Bootstrap-Diode geliefert werden. Die Verriegelungsfunktion vermeidet Querleitungsbedingungen. Der erweiterte Treiberabschnitt ermöglicht dank der geringen Ausbreitungsverzögerung, der sehr kurzen Wake-Up-Zeit und der kurzen, minimalen Einschaltzeiten den Hochfrequenzschaltbetrieb. Das erweiterte Sortiment an Eingangsstiften sowie der Fernsignalstift (FLT) ermöglichen eine einfache Schnittstelle mit Controllern, Mikrocontrollern oder DSP-Einheiten. Der Standby-Stift ermöglicht eine Senkung des Stromverbrauchs des Geräts in inaktiven Zeiten.

Power-System-In-Pack integriert 650-V-GaN-Transistoren Halbbrücke mit Hochspannungs-Gate-Treiber