STMicroelectronics STDRIVEG210Q Gate-Treiber 2 18-Pin QFN-18L 6.6 V 11 ns
- RS Best.-Nr.:
- 648-110
- Herst. Teile-Nr.:
- STDRIVEG210Q
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STDRIVEG210Q
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Pinanzahl | 18 | |
| Abfallzeit | 11ns | |
| Gehäusegröße | QFN-18L | |
| Anstiegszeit | 22ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 6.6V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 6.6V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017: 2kV, ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018: 1kV | |
| Länge | 5mm | |
| Serie | STDRIVEG210 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Pinanzahl 18 | ||
Abfallzeit 11ns | ||
Gehäusegröße QFN-18L | ||
Anstiegszeit 22ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 6.6V | ||
Maximale Versorgungsspannung 6.6V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017: 2kV, ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018: 1kV | ||
Länge 5mm | ||
Serie STDRIVEG210 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der Half-Bridge-Gate-Treiber von STMicroelectronics ist für N-Kanal-GaN-Transistoren im Verstärkungsmodus optimiert und unterstützt den Betrieb bis zu 220 V über eine integrierte Bootstrap-Diode. Es bietet ein Hochgeschwindigkeitsschalten mit minimaler Ausbreitungsverzögerung, passendem Timing und einem robusten Stromantrieb dank integrierter LDOs. Er wurde sowohl für sanfte als auch harte Schaltmodi entwickelt und verfügt über schnelles Aufwachen, Verriegelungsschutz und maßgeschneiderte UVLOs, um die Effizienz bei Ausbrüchen zu erhöhen.
Getrennte Logikeingänge und Shutdown-Pin
Fault-Pin für Übertemperatur- und UVLO-Meldung
Stand-by-Funktion für niedrigen Verbrauch
RoHS-Konformität
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