onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 7,1 A, 7,8 A 5V 16-Pin SOIC 15ns

Hoher Stromausgang (+4/-6 A) bei IGBT-Miller Plateau Voltagen
Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Übereinstimmung
Desat mit weicher Abschaltung
Aktive Miller Klemme und negative Gate-Spannung
Hohe transiente und elektromagnetische Störfestigkeit
Galvanische Isolierung 5 kV
Verbesserte die Systemeffizienz
Verbessert die PWM-Signalintegrität
Schutz vor Überlastung und Kurzschlüssen
Verhindert falsches Einschalten des Tores
Robustheit in schnellen Hochspannungs- und Hochstrom-Schaltanwendungen mit Anstiegsgeschwindigkeit
Galvanische Trennung zur Trennung von Hoch- und Niederspannungsseiten für Sicherheit und Schutz
Anwendungen
Solarwechselrichter
Motorsteuerung
UPS
Industrielle Netzteile
Schweißen