onsemi NCV5702DR2G MOSFET MOSFET 7.8 A 1 16-Pin SOIC 20 V 7.9 ns
- RS Best.-Nr.:
- 185-9281
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV5702DR2G
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 7.8A | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 7.9ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 9.2ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 5V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 10mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 7.8A | ||
Pinanzahl 16 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 7.9ns | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 9.2ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 5V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 10mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
- Ursprungsland:
- PH
Starkstromausgang (+4,0/-6,0 A) bei IGBT-Miller-Plateau-Spannungen
Niedrige VOH und VOL
Aktive Miller-Klemme
DESAT-Schutz mit programmierbarer Verzögerung
Geringere Schaltverluste und kurze Schaltzeiten
Vollständige Erweiterung von IGBT
Verhindert falsches Gate-Einschalten
Verbesserter programmierbarer Schutz
Anwendungen
Endprodukte
DC/AC-Wechselrichter
Akkuladegerät
Automobil-PTC-Heizgerät
Integrierte Ladegeräte
Xev-Ladegeräte
KFZ-Wechselrichter
Wechselrichter für Traktion
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