onsemi NCV5700DR2G MOSFET MOSFET 7.8 A 1 16-Pin SO-16 30 V 7.9 ns
- RS Best.-Nr.:
- 171-8462
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV5700DR2G
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 7.8A | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Gehäusegröße | SO-16 | |
| Abfallzeit | 7.9ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 9.2ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 30V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 7.8A | ||
Pinanzahl 16 | ||
Gehäusegröße SO-16 | ||
Abfallzeit 7.9ns | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 9.2ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 30V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 30V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
NCV5700 ist ein eigenständiger Starkstrom-, Hochleistungs-IGBT-Treiber für Starkstromversorgungsanwendungen, zu denen Solarwechselrichter, Motorsteuerung und Netzteile für unterbrechungsfreie Stromversorgung gehören. Das Gerät bietet eine kostengünstige Lösung durch die Beseitigung vieler externer Bauteile. Die Geräteschutzfunktionen umfassen aktive Miller-Klemme, genaue UVLO, EN-Eingang, DESAT-Schutz und aktiven Low-FAULT-Ausgang. Der Treiber verfügt außerdem über einen genauen 5,0-V-Ausgang und separate Hoch- und Niedrig-Treiber-Ausgänge (VOH und VOL) für einfachen Systementwurf. Der Treiber wurde zur Aufnahme eines großen Spannungsbereichs von Vorspannung-Netzteilen entwickelt, einschließlich unipolare und bipolare Spannungen. Erhältlich in einem 16-poligen SOIC-Gehäuse.
Starkstromausgang (+4,0/-6,0 A) bei IGBT-Miller-Plateau-SpannungenGeringere Schaltverluste und kurze SchaltzeitenNiedrige VOH und VOLVollständige Erweiterung von IGBTAktive Miller-KlemmeVerhindert falsches Gate-EinschaltenDESAT-Schutz mit programmierbarer VerzögerungVerbesserter programmierbarer SchutzDC/AC-WechselrichterAkkuladegerätPFCMotortreiberAutomobil-PTC-HeizgerätMotorsteuerungElektrofahrzeuge
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