- RS Best.-Nr.:
- 229-6337
- Herst. Teile-Nr.:
- NCD57252DWR2G
- Marke:
- onsemi
662 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
4,465 €
(ohne MwSt.)
5,313 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
2 - 8 | 4,465 € | 8,93 € |
10 - 98 | 4,00 € | 8,00 € |
100 - 248 | 3,795 € | 7,59 € |
250 - 498 | 3,295 € | 6,59 € |
500 + | 3,19 € | 6,38 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 229-6337
- Herst. Teile-Nr.:
- NCD57252DWR2G
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die on Semiconductor-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber der Serie NCDV575 mit Zweikanal-Hochstrom mit 2,5 oder 5 kV eff interner galvanischer Trennung vom Eingang zu jedem Ausgang und funktionaler Trennung zwischen den beiden Ausgangskanälen. Das Gerät akzeptiert 3,3 V bis 20 V Vorspannung und Signalpegel auf der Eingangsseite und bis zu 32 V Vorspannung auf der Ausgangsseite.
Flexibilität beim Design
Konsistente Leistung
Schnellere Schaltleistung
Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Anpassung
Konsistente Leistung
Schnellere Schaltleistung
Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Anpassung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Ausgangsstrom | 6,5 μA |
Versorgungsspannung | 5V |
Pinanzahl | 16 |
Abfallzeit | 10ns |
Gehäusegröße | SOIC |
Verwandte Produkte
- onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 6,5 A 22V SOIC 13ns
- onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 6,5 A 22V 8-Pin SOIC 13ns
- Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 9 → 14V...
- Microchip MOSFET-Gate-Ansteuerung TTL 2 A, 2 A. 16V 8-Pin SOIC 10ns
- onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 5V 16-Pin SOIC 16ns
- Microchip MOSFET-Gate-Ansteuerung TTL 2 A 16V 8-Pin SOIC 10ns
- Renesas Electronics Gate-Ansteuerungsmodul 185 μA 7 → 15V 24-Pin SOIC 10ns
- Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 1,5 A 6 → 20V 8-Pin SOIC 10ns