onsemi NCV57091ADWR2G MOSFET MOSFET 6.5 A SOIC 22 V 13 ns
- RS Best.-Nr.:
- 244-9169
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV57091ADWR2G
- Marke:
- onsemi
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- Marke:
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 6.5A | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 13ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 30ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 22V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | NCV57 | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 6.5A | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 13ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 30ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 22V | ||
Maximale Versorgungsspannung 22V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie NCV57 | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor Gate Driver sind isolierte Zweikanal-Gate-Treiber mit 4,5-A/9-A-Quelle und Peak Current. Sie wurden für schnelles Schalten auf Leistungs-MOSFETs und SiC MOSFET-Leistungsschalter entwickelt. Der NCP51561 bietet kurze und angepasste Ausbreitungsverzögerungen. Zwei unabhängige und 5 kV eff interne galvanische Trennung vom Eingang zu jedem Ausgang und die interne funktionale Trennung zwischen den beiden Ausgangstreibern ermöglicht eine Betriebsspannung von bis zu 1500 V dc. Dieser Treiber kann in allen möglichen Konfigurationen von zwei Niederspannungsseiten-, zwei Hochspannungsseiten-Schaltern oder einem Halbbrückentreiber mit programmierbarer Totzeit verwendet werden. Ein ENA/DIS-Pin schaltet beide Ausgänge gleichzeitig ab, wenn er für den ENABLE- bzw. DISABLE-Modus auf niedrig oder hoch gesetzt wird. Der NCP51561 bietet weitere wichtige Schutzfunktionen wie eine unabhängige Unterspannungsabschaltung für Gate-Treiber und eine Totzeit Einstellungsfunktion.
4,5 A Peak Source, 9 A Peak Sink Ausgangsstrom möglich
Flexibel: Zweifacher Niederspannungsseite-, Zweifach-Hochspannungsseite- oder Halbbrücken-Gattertreiber
Unabhängige UVLO-Protektionen für beide Ausgangstreiber
Ausgangsspannungsbereich von 6,5 V bis 30 V mit 5 V und 8 V für MOSFET, 13 V und 17 V UVLO für SiC, Schwellenwerte.
Gleichtakttransient-Störfestigkeit CMTI > 200 V/ns
Laufzeit: Typisch 36 ns mit 5 ns max. Verzögerungsanpassung pro Kanal und 5 ns max. Pulsbreitenverzerrung
Vom Benutzer programmierbare Eingangslogik Einfach- oder Zweifacheingangsmodi über ANB- und ENABLE- oder DISABLE-Modus
Vom Benutzer programmierbare Totzeit
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