onsemi IGBT-Modul IGBT 6.5 A 1 8-Pin SOIC 22 V 13 ns

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

1.332,00 €

(ohne MwSt.)

1.585,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 08. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +1,332 €1.332,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
221-6661
Herst. Teile-Nr.:
NCV57090ADWR2G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Ausgangsstrom

6.5A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

13ns

Anzahl der Ausgänge

5

Treiber-Typ

IGBT

Anstiegszeit

13ns

Minimale Versorgungsspannung

22V

Anzahl der Treiber

1

Maximale Versorgungsspannung

22V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

7.6mm

Höhe

2.65mm

Serie

NCx57090y

Breite

6.05 mm

Normen/Zulassungen

No

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

AEC-Q100

Der on Semiconductor NCD57090 ist ein Hochstrom-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit interner 5-kV-eff-galvanischer Trennung, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Das Gerät akzeptiert komplementäre Eingänge und bietet je nach Pinkonfiguration Optionen wie aktive Miller Clamp, negatives Netzteil und separaten hohen und niedrigen Treiberausgang für Systemkonzeption.

Hohe transiente Störfestigkeit

Hohe elektromagnetische Störfestigkeit

Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Anpassung

Verwandte Links