onsemi NCD57090BDWR2G IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- RS Best.-Nr.:
- 221-6598
- Herst. Teile-Nr.:
- NCD57090BDWR2G
- Marke:
- onsemi
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- NCD57090BDWR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Ausgangsstrom | 6.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 13ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | IGBT | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Anstiegszeit | 13ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 22V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Serie | NCD57090 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Ausgangsstrom 6.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 13ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ IGBT | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Anstiegszeit 13ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 22V | ||
Maximale Versorgungsspannung 22V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Serie NCD57090 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der on Semiconductor NCD57090 ist ein Hochstrom-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit interner 5-kV-eff-galvanischer Trennung, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Das Gerät akzeptiert komplementäre Eingänge und bietet je nach Pinkonfiguration Optionen wie aktive Miller Clamp, negatives Netzteil und separaten hohen und niedrigen Treiberausgang für Systemkonzeption.
Hohe transiente Störfestigkeit
Hohe elektromagnetische Störfestigkeit
Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Anpassung
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