onsemi IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 20 V 13 ns
- RS Best.-Nr.:
- 230-9047
- Herst. Teile-Nr.:
- NCD57090EDWR2G
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Ausgangsstrom | 6.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 13ns | |
| Treiber-Typ | IGBT | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Anstiegszeit | 13ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 5mm | |
| Serie | NCD57090 | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Ausgangsstrom 6.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 13ns | ||
Treiber-Typ IGBT | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Anstiegszeit 13ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 5mm | ||
Serie NCD57090 | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Die on Semiconductor Serie NCD57090E sind Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber mit interner 5-kV-eff-galvanischer Trennung, die für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen entwickelt wurden. Die Geräte nehmen komplementäre Eingänge auf und bieten je nach Pinkonfiguration Optionen wie Active Miller Clamp (NCD57090E). NCD57090E bietet eine Vielzahl von Eingangsspannungen und Signalpegeln von 3,3 V bis 20 V.
Verbesserte die Systemeffizienz
Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Übereinstimmung
Verbessert die PWM-Signalintegrität
Hohe transiente und elektromagnetische Störfestigkeit
Robustheit in Anwendungen mit schneller Anstiegsgeschwindigkeit bei Hochspannungs- und Hochstromschaltungen
Integrierte galvanische Isolierung mit 5 kV eff
Spart Kosten und Platz auf der Platine und bietet gleichzeitig eine verbesserte Leistung im Vergleich zu Optotreibern
Große Bias-Spannungsbereiche und Eingangsspannungsbereich
Bietet Flexibilität beim Systemdesign und ermöglicht die Verwendung von allgemein verfügbaren Systemspannungsschienen
Aktive Miller Clamp oder negative Gate-Spannung
Bietet eine Auswahl bei der Auswahl der richtigen Funktion in einem kompakten Gehäuse
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