onsemi NCD57201DR2G IGBT-Modul IGBT 1.9 A 8-Pin SOIC 20 V 8 ns

Alle Gate-Treiber anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

13,48 €

(ohne MwSt.)

16,04 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2.470 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 901,348 €13,48 €
100 - 2401,162 €11,62 €
250 - 4901,007 €10,07 €
500 - 9900,886 €8,86 €
1000 +0,805 €8,05 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
221-6602
Herst. Teile-Nr.:
NCD57201DR2G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Ausgangsstrom

1.9A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

8ns

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

IGBT

Anstiegszeit

13ns

Minimale Versorgungsspannung

20V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

5mm

Höhe

1.75mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

AEC-Q100

Der on Semiconductor NCx57201 ist ein Hochspannungs-Gate-Treiber mit einem nicht isolierten Low-Side-Gate-Treiber und einem galvanisch isolierten Hoch- oder Niederspannungsseiten-Gate-Treiber. Er kann zwei IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration direkt ansteuern. Der isolierte Treiber auf der Hochspannungsseite kann mit einem isolierten Netzteil oder mit Bootstrap-Technik vom Low-Side-Netzteil versorgt werden.

Niedriger Ausgangsspannungsabfall für verbesserte IGBT-Leitung

Potenzialfreier Kanal für Bootstrap-Betrieb bis +800 V.

CMTI bis zu 100 kV/s.

Zuverlässiger Betrieb für VS-negatives Schwingen bis -800 V.

Verwandte Links