onsemi NCV57201DR2G IGBT-Modul IGBT 1.9 A 2 8-Pin SOIC 20 V

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

4,97 €

(ohne MwSt.)

5,915 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2.470 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 450,994 €4,97 €
50 - 950,856 €4,28 €
100 - 4950,742 €3,71 €
500 - 9950,652 €3,26 €
1000 +0,624 €3,12 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
221-6668
Herst. Teile-Nr.:
NCV57201DR2G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Ausgangsstrom

1.9A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

IGBT

Anstiegszeit

13ns

Minimale Versorgungsspannung

20V

Anzahl der Treiber

2

Maximale Versorgungsspannung

20V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Höhe

1.75mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Breite

4 mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

AEC-Q100

Der on Semiconductor NCx57201 ist ein Hochspannungs-Gate-Treiber mit einem nicht isolierten Niederspannungsseiten-Gate-Treiber und einem galvanisch getrennten Hoch- oder Niederspannungsseiten-Gate-Treiber. Er kann zwei IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration direkt ansteuern. Der isolierte Treiber auf der Hochspannungsseite kann mit einem isolierten Netzteil oder mit Bootstrap-Technik vom Low-Side-Netzteil versorgt werden. Die galvanische Trennung für den High-Side-Gate-Treiber garantiert zuverlässiges Schalten in Hochleistungsanwendungen für IGBTs, die bis zu 800 V bei hohen dv/dt betreiben.

Angepasste Laufzeit: 90 ns

Integrierter 20-ns-Filter mit minimaler Impulsbreite

Nicht invertierendes Ausgangssignal

CMTI bis zu 100 kV/s.

Zuverlässiger Betrieb für VS-negatives Schwingen bis -800 V.

Verwandte Links