onsemi IGBT-Modul IGBT 1.9 A 8-Pin SOIC 20 V 8 ns

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RS Best.-Nr.:
221-6601
Herst. Teile-Nr.:
NCD57201DR2G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Ausgangsstrom

1.9A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

8ns

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

IGBT

Anstiegszeit

13ns

Minimale Versorgungsspannung

20V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Höhe

1.75mm

Länge

5mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

AEC-Q100

Der on Semiconductor NCx57201 ist ein Hochspannungs-Gate-Treiber mit einem nicht isolierten Low-Side-Gate-Treiber und einem galvanisch isolierten Hoch- oder Niederspannungsseiten-Gate-Treiber. Er kann zwei IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration direkt ansteuern. Der isolierte Treiber auf der Hochspannungsseite kann mit einem isolierten Netzteil oder mit Bootstrap-Technik vom Low-Side-Netzteil versorgt werden.

Niedriger Ausgangsspannungsabfall für verbesserte IGBT-Leitung

Potenzialfreier Kanal für Bootstrap-Betrieb bis +800 V.

CMTI bis zu 100 kV/s.

Zuverlässiger Betrieb für VS-negatives Schwingen bis -800 V.

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