onsemi NCP51561DBDWR2G MOSFET MOSFET 6.5 A 16-Pin SOIC 5 V 16 ns

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RS Best.-Nr.:
244-9161
Herst. Teile-Nr.:
NCP51561DBDWR2G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

6.5A

Pinanzahl

16

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

16ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

19ns

Minimale Versorgungsspannung

5V

Maximale Versorgungsspannung

5V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

NCP51

Automobilstandard

Nein

Der isolierte on Semiconductor-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit hohem Strom ist ein Hochstrom-Einkanal. IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit interner 5-kV-eff-galvanischer Trennung, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Die Geräte nehmen komplementäre Eingänge auf und bieten je nach Pinkonfiguration Optionen wie Active Miller Clamp (Version A/D/F), negatives Netzteil (Version B) und separate Treiberausgänge für Hoch- und Niederspannung (OUTH und OUTL) (Version C/E) für mehr Komfort beim Systemdesign. Der Treiber bietet eine Vielzahl von Eingangsspannungs- und Signalpegeln von 3,3 V bis 20 V und ist in einem SOIC-8-Gehäuse mit breitem Gehäuse erhältlich.

Hoher Peak Ausgangsstrom (+6,5 A/-6,5 A)

Niedriger Spannungsabfall an der Klemme beseitigt den Bedarf an negativem Netzteil, um ein Einschalten des Spurious Gate zu verhindern (Version A/D/F)

Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Übereinstimmung

IGBT/MOSFET-Gate-Klemmen während eines Kurzschlusses

IGBT/MOSFET Gate Active Pull-Down

Enge UVLO-Schwellenwerte für Biegsamkeit

Großer Bias-Spannungsbereich einschließlich negativem VEE2 (Version B)

3,3-V-, 5-V- und 15-V-Logik-Eingang

Galvanische Isolierung mit 5 kV eff

Hohe transiente Störfestigkeit

Hohe elektromagnetische Störfestigkeit

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