onsemi MOSFET MOSFET 500 mA 2 8-Pin SOIC 20 V 75 ns
- RS Best.-Nr.:
- 186-9114
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP5106BDR2G
- Marke:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 186-9114
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP5106BDR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 500mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 75ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 160ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Serie | NCP5106B | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 500mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 75ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 160ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 5mm | ||
Serie NCP5106B | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Hochspannungsbereich: Bis zu 600 V.
DV/dt Störfestigkeit ± 50 V/nsec
Versorgungsbereich des Gatterantriebs von 10 V bis 20 V.
Hohe und niedrige Antriebsausgänge
Ausgangsquelle/Strombelastbarkeit des Sinks 250 mA / 500 mA
Kompatibel mit 3,3 V und 5 V Eingangslogik
Bis zu VCC-Schwenkfunktion an Eingangsstiften
Übereinstimmende Fortführungsverzögerungen zwischen beiden Kanälen
Ausgänge in Phase mit den Eingängen
Unabhängige Logikeingänge für alle Topologien (Version A)
Überleitungsschutz mit 100 ns fester interner Totzeit (Version B)
Unter VCC LockOut (UVLO) für beide Kanäle
PIN-zu-Pin kompatibel mit Industriestandards
Anwendungen
Half-Bridge-Leistungswandler
Alle ergänzenden Antriebswandler (Asymmetrische Halbbrücke, Active Clamp) (nur A-Version).
Full-Bridge-Wandler
Verwandte Links
- onsemi NCP5106BDR2G MOSFET MOSFET 500 mA 2 8-Pin SOIC 20 V 75 ns
- onsemi MOSFET MOSFET 500 mA 2 8-Pin SOIC 20 V 35 ns
- onsemi NCP5104DR2G MOSFET MOSFET 500 mA 2 8-Pin SOIC 20 V 35 ns
- Infineon MOSFET MOSFET 350 mA 28-Pin SOIC 20 V 75 ns
- Infineon IR2136STRPBF MOSFET MOSFET 350 mA 28-Pin SOIC 20 V 75 ns
- Infineon MOSFET MOSFET 500 mA 44-Pin SOIC 20 V 70 ns
- Infineon IR2235JTRPBF MOSFET MOSFET 500 mA 44-Pin SOIC 20 V 70 ns
- onsemi MOSFET MOSFET 650 mA 3 20-Pin SOIC 20 V 30 ns
