Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 2 A 18V 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 196-8875
Herst. Teile-Nr.:: HIP2101IBZ
Marke:: Renesas Electronics

Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 2 A 18V 8-Pin SOIC

784 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Im Warenkorb

Preis pro Stück (In einer Stange von 98)

4,086 €

(ohne MwSt.)

4,862 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
98 +	4,086 €	400,428 €
*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 196-8875
Herst. Teile-Nr.:: HIP2101IBZ
Marke:: Renesas Electronics

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - 1968875

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Geräte der Serie HIP2101 von Renesas Electronics sind hochfrequente, 100-V-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-IC. Es entspricht dem
Hip2100 mit dem zusätzlichen Vorteil vollständiger TTL/CMOS-kompatibler Logikeingangsstifte. Unterspannungsschutz an beiden
Niedrige und hohe Versorgungsspannungen zwingen die Ausgänge niedrig. Eine integrierte Diode beseitigt die diskrete Diode, die für andere Treiber-ICs erforderlich ist.

Steuert N-Kanal-MOSFET-Halbbrücke
SOIC-, EPSOIC-, QFN- und DFN-Gehäuseoptionen
Bootstrap-Versorgungsspannung: Max. Spannung bis 114 V dc

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Ausgangsstrom	2 A
Versorgungsspannung	18V
Pinanzahl	8
Gehäusegröße	SOIC
Anzahl der Treiber	2

RS Best.-Nr.:: 196-8875
Herst. Teile-Nr.:: HIP2101IBZ
Marke:: Renesas Electronics

Datasheet - 1968875

Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 2 A 18V 8-Pin SOIC

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Technische Daten

Verwandte Produkte