Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 2 A 18V 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 196-8876
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2101IBZ
- Marke:
- Renesas Electronics
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
5,166 €
(ohne MwSt.)
6,148 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 5,166 € | 25,83 € |
| 10 - 20 | 4,306 € | 21,53 € |
| 25 - 45 | 4,222 € | 21,11 € |
| 50 - 95 | 4,128 € | 20,64 € |
| 100 + | 3,752 € | 18,76 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 196-8876
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2101IBZ
- Marke:
- Renesas Electronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Geräte der Serie HIP2101 von Renesas Electronics sind hochfrequente, 100-V-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-IC. Es entspricht dem
Hip2100 mit dem zusätzlichen Vorteil vollständiger TTL/CMOS-kompatibler Logikeingangsstifte. Unterspannungsschutz an beiden
Niedrige und hohe Versorgungsspannungen zwingen die Ausgänge niedrig. Eine integrierte Diode beseitigt die diskrete Diode, die für andere Treiber-ICs erforderlich ist.
Hip2100 mit dem zusätzlichen Vorteil vollständiger TTL/CMOS-kompatibler Logikeingangsstifte. Unterspannungsschutz an beiden
Niedrige und hohe Versorgungsspannungen zwingen die Ausgänge niedrig. Eine integrierte Diode beseitigt die diskrete Diode, die für andere Treiber-ICs erforderlich ist.
Steuert N-Kanal-MOSFET-Halbbrücke
SOIC-, EPSOIC-, QFN- und DFN-Gehäuseoptionen
Bootstrap-Versorgungsspannung: Max. Spannung bis 114 V dc
SOIC-, EPSOIC-, QFN- und DFN-Gehäuseoptionen
Bootstrap-Versorgungsspannung: Max. Spannung bis 114 V dc
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Ausgangsstrom | 2 A |
| Versorgungsspannung | 18V |
| Pinanzahl | 8 |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Anzahl der Treiber | 2 |
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