Renesas Electronics HIP2101IBZ MOSFET MOSFET 2 A 2 8-Pin SOIC 14 V 500 ns

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196-8876
Herst. Teile-Nr.:
HIP2101IBZ
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

2A

Pinanzahl

8

Abfallzeit

500ns

Gehäusegröße

SOIC

Treiber-Typ

MOSFET

Anzahl der Ausgänge

2

Anstiegszeit

500ns

Minimale Versorgungsspannung

18V

Maximale Versorgungsspannung

14V

Anzahl der Treiber

2

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

HIP2101

Höhe

1.75mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Länge

5mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Die Geräte der Serie HIP2101 von Renesas Electronics sind hochfrequente, 100-V-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-IC. Es entspricht dem

Hip2100 mit dem zusätzlichen Vorteil vollständiger TTL/CMOS-kompatibler Logikeingangsstifte. Unterspannungsschutz an beiden

Niedrige und hohe Versorgungsspannungen zwingen die Ausgänge niedrig. Eine integrierte Diode beseitigt die diskrete Diode, die für andere Treiber-ICs erforderlich ist.

Steuert N-Kanal-MOSFET-Halbbrücke

SOIC-, EPSOIC-, QFN- und DFN-Gehäuseoptionen

Bootstrap-Versorgungsspannung: Max. Spannung bis 114 V dc

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