Renesas Electronics HIP2211FBZ-T7A MOSFET MOSFET 3400 mA 8-Pin SOIC 20 V 365 ns
- RS Best.-Nr.:
- 201-3366
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2211FBZ-T7A
- Marke:
- Renesas Electronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 3400mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 365ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 435ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 18V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | HIP2211 | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 3400mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 365ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 435ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 18V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie HIP2211 | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der hochfrequente High-Frequency-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber Renesas mit 100 V, 3 A Quelle und 4 A Senke gehört zur Serie HIP2211. Dieser Treiber verfügt über eine 8-polige Konfiguration. Er verfügt über einen dreistufigen PWM-Eingang mit programmierbarer Totzeit.
Schnelle Laufzeit und Anpassung mit 15 ns typischer Verzögerung und 2 ns typischer Anpassung
Er verfügt über eine integrierte 0,5-O-typische Bootstrap-Diode
115 V dc Bootstrap-Versorgungsspannung unterstützt 100 V auf der Halbbrücke
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