onsemi IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 20 V 13 ns
- RS Best.-Nr.:
- 221-6593
- Herst. Teile-Nr.:
- NCD57080BDR2G
- Marke:
- onsemi
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- NCD57080BDR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Ausgangsstrom | 6.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 13ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Treiber-Typ | IGBT | |
| Anstiegszeit | 13ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 22V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | NCD57080 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Ausgangsstrom 6.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 13ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Treiber-Typ IGBT | ||
Anstiegszeit 13ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 22V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie NCD57080 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor NCD57080B ist ein Hochstrom-IGBT-Einkanal-Gate-Treiber mit 3,75 kVeff interner galvanischer Trennung, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Das Gerät akzeptiert komplementäre Eingänge und bietet je nach Pinkonfiguration Optionen wie aktive Miller Clamp, negatives Netzteil und separaten hohen und niedrigen Treiberausgang für Systemkonzeption.
Hohe transiente Störfestigkeit
Hohe elektromagnetische Störfestigkeit
Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Anpassung
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