Infineon 1EDF5673FXUMA1 MOSFET MOSFET 8 A 1 16-Pin DSO 3.5 V 4.5 ns

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RS Best.-Nr.:
222-4759
Herst. Teile-Nr.:
1EDF5673FXUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

8A

Pinanzahl

16

Gehäusegröße

DSO

Abfallzeit

4.5ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anzahl der Ausgänge

2

Anstiegszeit

6.5ns

Minimale Versorgungsspannung

4V

Anzahl der Treiber

1

Maximale Versorgungsspannung

3.5V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

10.3mm

Höhe

2.35mm

Serie

1EDF5673F

Normen/Zulassungen

No

Breite

7.5 mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der Infineon Einkanal-galvanisch isolierte Gate-Treiber-IC 1EDF5673F ist perfekt für den Anreicherungstyp (e-mode) Gallium-Nitrid (GaN)-HEMTs mit nicht isoliertem Gate (Diodeneingangskennlinie) und niedriger Schwellenspannung, wie CoolGaN. Er sorgt für einen robusten und hocheffizienten Hochspannungs-GaN-Schalterbetrieb bei gleichzeitiger Minimierung des F&E-Aufstrengungen und Verkürzung der Markteinführungszeit.

Niederohmige Ausgänge

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