- RS Best.-Nr.:
- 222-4759
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDF5673FXUMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon Einkanal-galvanisch isolierte Gate-Treiber-IC 1EDF5673F ist perfekt für den Anreicherungstyp (e-mode) Gallium-Nitrid (GaN)-HEMTs mit nicht isoliertem Gate (Diodeneingangskennlinie) und niedriger Schwellenspannung, wie CoolGaN. Er sorgt für einen robusten und hocheffizienten Hochspannungs-GaN-Schalterbetrieb bei gleichzeitiger Minimierung des F&E-Aufstrengungen und Verkürzung der Markteinführungszeit.
Niederohmige Ausgänge
Einkanalige galvanische Trennung
Integrierte galvanische Trennung
Einkanalige galvanische Trennung
Integrierte galvanische Trennung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Logik-Typ | CMOS |
Ausgangsstrom | 8 A |
Versorgungsspannung | 4V |
Pinanzahl | 16 |
Abfallzeit | 4.5ns |
Gehäusegröße | PG-DSO-16-11 |
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