Infineon 1ED3321MC12NXUMA1 MOSFET MOSFET 8.5 A 16-Pin PG-DSO-16 5 V 20 ns
- RS Best.-Nr.:
- 240-6368
- Herst. Teile-Nr.:
- 1ED3321MC12NXUMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- 1ED3321MC12NXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 8.5A | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Abfallzeit | 20ns | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-16 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3.3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | 1ED3321 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 8.5A | ||
Pinanzahl 16 | ||
Abfallzeit 20ns | ||
Gehäusegröße PG-DSO-16 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Minimale Versorgungsspannung 3.3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie 1ED3321 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der isolierte Einkanal-Gate-Treiber Infineon 8,5 A, 5,7 kV eff mit Kurzschlussschutz, aktiver Miller-Klemme, und soft-off, UL 1577 und VDE 0884-11-zertifiziert. Isolierter Einkanal-Gate-Treiber EiceDRIVERTM mit typischem Quell- und Senkungsstrom von +6 A bis -8,5 A in einem breiten DSO-16-Gehäuse mit 8-mm-Kreuzabstand für IGBTs, MOSFETs und SiC-MOSFETs. 1ED3321MC12N gehört zur EiceDRIVERTM Enhanced 1ED332x-Familie F3. 1ED3321 bietet Kurzschlussschutz DESAT für IGBTs und SiC-MOSFETs. Der Treiber-IC implementiert separate Source- und Sink-Ausgänge, arbeitet über einen großen Versorgungsspannungsbereich, entweder unipolar oder bipolar, und er verfügt über eine enge Teil-zu-teil-Ausbreitungsverzögerung.
Einkanaliger, galvanisch getrennter, kernloser Transformator-CT-Gate-Treiber
Integrierte Schutzfunktionen wie Kurzschlussschutz DESAT, softoff, aktive Miller-Klemme und aktive Abschaltung
Für den Einsatz mit 600 V, 650 V, 1200 V, 1700 V, 2300 V IGBTs, Si- und SiC-MOSFETs
Bis zu +6 A bis -85 A typischer Spitzenausgangsstrom
40 V absolute maximale Ausgangsspannung VCC2
Hohe Gleichtaktstörfestigkeit CMTI ist größer als 300 kV/μs
85 ns kurze Ausbreitungsverzögerung
Enge IC-zu-IC-Ausbreitungsverzögerung passend für 15 ns max.
33 V und 5 V Eingangsspannung VCC1
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