Infineon 1EDB7275FXUMA1 MOSFET MOSFET 5.6 A 8-Pin PG-DSO-8 5 V 9 ns
- RS Best.-Nr.:
- 234-8939
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDB7275FXUMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
11,18 €
(ohne MwSt.)
13,305 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 335 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,236 € | 11,18 € |
| 25 - 45 | 1,922 € | 9,61 € |
| 50 - 120 | 1,808 € | 9,04 € |
| 125 - 245 | 1,674 € | 8,37 € |
| 250 + | 1,566 € | 7,83 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 234-8939
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDB7275FXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 5.6A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 9ns | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 16ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | 1ED | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 5.6A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 9ns | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 16ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie 1ED | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der isolierte Einkanal-Gate-Treiber-IC von Infineon in einem 150-mil-DSO-Gehäuse ist in einem 8-poligen mit 4 mm-Kriechstrecker zwischen Eingang und Ausgang erhältlich. Er bietet Isolierung durch integrierte kernlose Transformator-Technologie (CT).
260 °C maximaleLöttemperatur
150 °CVerbindungstemperatur
5Apk Rückstromspitze
Verwandte Links
- Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung PWM 5,6 A 5V 8-Pin PG-DSO-8 9ns
- Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung PWM 5,6 A 15V 8-Pin PG-DSO-8 9ns
- Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 6 A 15V 8-Pin PG-DSO 9ns
- Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 4 A 15V 8-Pin PG-DSO 9ns
- Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 3 A 15V 8-Pin PG-DSO 9ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS 10 A 8-Pin PG-DSO-8-51 9ns
- Infineon IGBT-Treibermodul CMOS 8-Pin PG-DSO-8-59 9ns
- Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 360 mA 20V 8-Pin PG-DSO 40ns
