Infineon Gate-Treiber MOSFET 8 A 1 6-Pin SOT-23 20V 4.5 ns

RS Best.-Nr.:: 222-4766
Herst. Teile-Nr.:: 1EDN8511BXUSA1
Marke:: Infineon

Infineon Gate-Treiber MOSFET 8 A 1 6-Pin SOT-23 20V 4.5 ns

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RS Best.-Nr.:: 222-4766
Herst. Teile-Nr.:: 1EDN8511BXUSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Gate-Treiber
	Ausgangsstrom	8A
	Pinanzahl	6
	Abfallzeit	4.5ns
	Gehäusegröße	SOT-23
	Treiber-Typ	MOSFET
	Anzahl der Ausgänge	2
	Anstiegszeit	6.5ns
	Minimale Versorgungsspannung	4.2V
	Anzahl der Treiber	1
	Maximale Versorgungsspannung	20V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Serie	1EDN8511B
	Breite	1.6mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.45mm
	Länge	2.9mm
	Montageart	Oberfläche
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Gate-Treiber
	Ausgangsstrom 8A
	Pinanzahl 6
	Abfallzeit 4.5ns
	Gehäusegröße SOT-23
	Treiber-Typ MOSFET
	Anzahl der Ausgänge 2
	Anstiegszeit 6.5ns
	Minimale Versorgungsspannung 4.2V
	Anzahl der Treiber 1
	Maximale Versorgungsspannung 20V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Serie 1EDN8511B
	Breite 1.6mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.45mm
	Länge 2.9mm
	Montageart Oberfläche
	Automobilstandard Nein

Datasheet - 1EDN8511BXUSA1

Gate-Treiber der Serie 1EDN8511B von Infineon, 8 A Ausgangsstrom, 4,2 V Mindestversorgungsspannung - 1EDN8511BXUSA1

Dieser Gate-Treiber bietet eine kompakte Single-Treiber-Lösung mit zwei Ausgängen für die Steuerung von MOSFETs in Schaltanwendungen. Er arbeitet von niedrigen Versorgungsspannungen bis zu einem moderaten Maximum, ist für die Oberflächenmontage vorgesehen und für den Einsatz über einen breiten Temperaturbereich spezifiziert, um anspruchsvollen thermischen Umgebungen gerecht zu werden.

Merkmale und Vorteile:

• 8 A Ausgangsstrom ermöglicht schnelles Laden und Entladen von MOSFETs
• 4,2-20 V Versorgungsbereich unterstützt vielfältige Logik- und Stromschienen
• Die Anstiegszeit von 6,5 ns reduziert Einschaltverluste
• Abfallzeit von 4,5 ns minimiert die Verlustenergie beim Abschalten
• Ein einziger Treiber mit zwei Ausgängen vereinfacht die Gate-Schaltung
• Das 6‐polige SOT‐23-Gehäuse gewährleistet eine kompakte Platzierung der Leiterplatte

Anwendungsbereich

• Geeignet für schnell schaltende MOSFET-Leistungsstufen
• Ideal für kompakte DC/DC-Wandler und Regler
• Wird mit Gate-Netzwerken verwendet, die einen Dual-Ausgangsantrieb erfordern
• Kann für Front-End-Stufen des Motortreibers verwendet werden
• Geeignet für Umgebungen und Steuerungen mit thermischer Belastung

Welche Gehäusefläche ist für das Board-Layout erforderlich?

Das Gerät wird in einem 6-poligen SOT‐23-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das eine kleine Grundfläche einnimmt, die für Baugruppen mit begrenztem Platzangebot geeignet ist.

Welchen Temperaturbereich kann das Gerät während des Betriebs tolerieren?

Er ist für den Betrieb von -40 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht so den Einsatz in Hochtemperaturanwendungen.

Wie viele Ausgänge sind verfügbar und wie sind sie konfiguriert?

Er bietet zwei Ausgänge, die von einem einzigen internen Treiberkanal angetrieben werden, um komplementäre oder separate MOSFET-Gatter zu steuern.

Welche Pinanzahl und welche Befestigungsart sollten Entwickler erwarten?

Die Entwickler sollten eine 6-polige Komponente für die Oberflächenmontage planen.

Welche Schaltleistungsmetriken helfen bei Hochgeschwindigkeitsdesigns?

Das Gerät bietet 6,5 ns Anstiegs- und 4,5 ns Abfallzeiten in Kombination mit einer 8-A-Antriebsfähigkeit zur Unterstützung schneller Gate-Übergänge.