Infineon Gate-Treiber MOSFET 8 A 1 23-Pin SOT-23 20V 4.5 ns

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RS Best.-Nr.:
222-4769
Herst. Teile-Nr.:
1EDN8550BXTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Gate-Treiber

Ausgangsstrom

8A

Pinanzahl

23

Abfallzeit

4.5ns

Gehäusegröße

SOT-23

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

6.5ns

Minimale Versorgungsspannung

4.5V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Anzahl der Treiber

1

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.25mm

Serie

1EDN8550B

Breite

1.6mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.9mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Gate-Treiber der Serie 1EDN8550B von Infineon, 4,5 V Mindestversorgungsspannung, 8 A Ausgangsstrom – 1EDN8550BXTSA1


Dieser Gate-Treiber bietet eine einkanalige MOSFET-Antriebslösung mit zwei Ausgängen für Schaltanwendungen. Es nimmt einen Versorgungsbereich auf, der für Niederspannungsanlagen geeignet ist, und ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, bei denen Kompaktheit und thermische Beständigkeit erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• Ein einzelner Treiber liefert zwei Ausgänge für komplementäres Schalten
• 8 A Ausgangsstrom für Hochstrom-Gate-Ladefähigkeit
• Betrieb von 4,5 V bis 20 V Versorgung für flexible Spannungsanwendung
• Schnelle Abfallzeit von 4,5 ns für schnelle Abschaltübergänge
• Geringe Anstiegszeit von 6,5 ns für schnelle Einschaltreaktionen
• Ausgelegt für -40 °C bis 150 °C, um großen Temperaturschwankungen standzuhalten

Anwendungsbereich


• Geeignet für MOSFET-Treiber im Leistungsschalten
• Ideal für kompakte oberflächenmontierte Steuerplatinen
• Wird mit Einkanal-Schalttopologien verwendet, die zwei Ausgänge erfordern
• Kann für industrielle Hochtemperatur-Wandlermodule verwendet werden
• Wird für die kompakte Niederspannungs-Motorantriebs-Gate-Steuerung verwendet

Welches Gehäuse sollte ich bei der Gestaltung der Leiterplattenfläche berücksichtigen?


Die Komponente wird in einem SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert und verfügt über eine 23-polige Anzahl, die das Pad-Layout bestimmt.

Wie verhält sich das Gerät bei hohen Sperrschichttemperaturen unter beengten Platzverhältnissen?


Er ist für den Betrieb bei maximal 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit hoher Umgebungs- oder Lokaler Heizung.

Welche elektrischen Antriebsfähigkeit bietet er für größere MOSFETs?


Er bietet einen Ausgangsstrom von 8 A, der für die schnelle Gate-Ladung geeignet ist, die von größeren MOSFETs benötigt wird.

Welche Versorgungsspannungen versorgen das Gerät zuverlässig?


Es funktioniert über Versorgungsschienen mit mindestens 4,5 V bis maximal 20 V.

Wie kompakt ist das Gehäuse für platzbeschränkte Designs?


Die Bauteilabmessungen betragen 2,9 mm Länge, 1,6 mm Breite und 1,25 mm Höhe für enge Layouts.

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