Infineon MOSFET MOSFET 8 A 1 16-Pin DSO 3.5 V 4.5 ns

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RS Best.-Nr.:
222-4770
Herst. Teile-Nr.:
1EDS5663HXUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

8A

Pinanzahl

16

Abfallzeit

4.5ns

Gehäusegröße

DSO

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

6.5ns

Minimale Versorgungsspannung

4V

Maximale Versorgungsspannung

3.5V

Anzahl der Treiber

1

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.35mm

Breite

7.5 mm

Länge

10.3mm

Serie

1EDS5663H

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der neue einkanalige galvanisch isolierte Gate-Treiber-IC 1EDS5663H von Infineon ist perfekt für Anreicherungs-(e-mode) Gallium-Nitrid-(GaN)-HEMTs mit nicht isoliertem Gate (Diodeneingangskennlinie) und niedriger Schwellenspannung, wie CoolGaN. Er sorgt für einen robusten und hocheffizienten Hochspannungs-GaN-Schalterbetrieb bei gleichzeitiger Minimierung des F&E-Aufstrengungen und Verkürzung der Markteinführungszeit.

Niederohmige Ausgänge

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