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Infineon Gate-Treiber MOSFET 4 A 2 8-Pin SOIC 200V 25 ns

Name: Infineon Gate-Treiber MOSFET 4 A 2 8-Pin SOIC 200V 25 ns
Brand: Infineon
SKU: 222-4951P
Availability: OutOfStock

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Gate-Treiber
	Ausgangsstrom	4A
	Pinanzahl	8
	Gehäusegröße	SOIC
	Abfallzeit	25ns
	Treiber-Typ	MOSFET
	Anstiegszeit	80ns
	Minimale Versorgungsspannung	20V
	Maximale Versorgungsspannung	200V
	Anzahl der Treiber	2
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Serie	IR11682S
	Länge	5mm
	Höhe	1.75mm
	Normen/Zulassungen	No
	Montageart	Oberfläche
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Gate-Treiber
	Ausgangsstrom 4A
	Pinanzahl 8
	Gehäusegröße SOIC
	Abfallzeit 25ns
	Treiber-Typ MOSFET
	Anstiegszeit 80ns
	Minimale Versorgungsspannung 20V
	Maximale Versorgungsspannung 200V
	Anzahl der Treiber 2
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Serie IR11682S
	Länge 5mm
	Höhe 1.75mm
	Normen/Zulassungen No
	Montageart Oberfläche
	Automobilstandard Nein

Der Infineon 200 V Dual Smart sekundärseitige Hochgeschwindigkeits-SR-Controller in einem 8-adrigen SOIC-Gehäuse.

Sekundärseitiger Hochgeschwindigkeitsregler für synchrone Gleichrichtung in resonanten Halbbrückentopologien

Proprietäre 200-V-IC-Technologie

Max. 500 kHz Schaltfrequenz

Anti-Prellen-Logik und UVLO-Schutz

4 A Peak Ausschaltstrom

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