Infineon 1EDC40I12AHXUMA1 MOSFET MOSFET 4 A 2 8-Pin DSO 17 V 9 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6013
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDC40I12AHXUMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,806 € | 14,03 € |
| 25 - 45 | 2,384 € | 11,92 € |
| 50 - 120 | 2,244 € | 11,22 € |
| 125 - 245 | 2,076 € | 10,38 € |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6013
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDC40I12AHXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 4A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Abfallzeit | 9ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 10ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 15V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 17V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 7.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | 1EDC40I12AH | |
| Breite | 6.4 mm | |
| Höhe | 2.65mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 4A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Abfallzeit 9ns | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 10ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 15V | ||
Maximale Versorgungsspannung 17V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 7.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie 1EDC40I12AH | ||
Breite 6.4 mm | ||
Höhe 2.65mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 1EDCxxI12AH ist ein galvanisch getrennter Einkanal-IGBT-Treiber in einem PG-DSO-8-59-Gehäuse, der einen Ausgangsstrom von bis zu 10 A an getrennten Ausgangsstiften liefert. Die Eingangslogikstifte arbeiten mit einem großen Eingangsspannungsbereich von 3 V bis 15 V unter Verwendung eines skalierten CMOS-Schwellenwerts, um sogar 3,3-V-Mikrocontroller zu unterstützen. Die Datenübertragung über die Isolierungsbarriere erfolgt über die kernlose Transformatortechnologie.
Einkanaliger isolierter IGBT-Treiber
Für 600 V/650 V/1200 V IGBTs, MOSFETs und SiC MOSFETs
Bis zu 10 A typischer Peak Current an Rail-to-Rail-Ausgängen
Separate Ausgangs- und Senken-Quelle
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