Infineon MOSFET MOSFET 6 A 2 8-Pin DSO 17 V 9 ns

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RS Best.-Nr.:
226-6015
Herst. Teile-Nr.:
1EDC60H12AHXUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

6A

Pinanzahl

8

Abfallzeit

9ns

Gehäusegröße

DSO

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

10ns

Minimale Versorgungsspannung

15V

Anzahl der Treiber

2

Maximale Versorgungsspannung

17V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Höhe

2.65mm

Serie

1EDC60H12AH

Breite

6.4 mm

Länge

7.6mm

Normen/Zulassungen

No

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 1EDCxxH12AH ist ein galvanisch getrennter Einkanal-IGBT-Treiber in einem PG-DSO-8-59-Gehäuse, der einen Ausgangsstrom von bis zu 10 A an getrennten Ausgangsstiften liefert. Die Eingangslogikstifte arbeiten mit einem großen Eingangsspannungsbereich von 3 V bis 15 V unter Verwendung eines skalierten CMOS-Schwellenwerts, um sogar 3,3-V-Mikrocontroller zu unterstützen. Die Datenübertragung über die Isolierungsbarriere erfolgt über die kernlose Transformatortechnologie.

Einkanaliger isolierter IGBT-Treiber

Für 600 V/650 V/1200 V IGBTs, MOSFETs und SiC MOSFETs

Bis zu 10 A typischer Peak Current an Rail-to-Rail-Ausgängen

Separate Ausgangs- und Senken-Quelle

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