Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 3 A 20V 16-Pin SOIC 25ns

Der Infineon IR2010 ist ein Hochleistungs-, Hochspannungs-, Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigem, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenziertem Ausgangskanal. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter auf 3,0-V-Logik. Der Ausgangstreiber verfügt über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist. Die Laufzeit wird angepasst, um den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen zu vereinfachen.

Tolerant gegenüber negativer Einschwingspannung, dV/dt-immun
Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 bis 20 V.
Unterspannungsschutz für beide Kanäle
Voll funktionsfähig bis 200 V