Infineon IR2111PBF MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 0.5 A 2 8-Pin PDIP 20 V 40 ns

Dieser MOSFET-Gate-Treiber wurde für die effiziente Steuerung von leistungselektronischen Schaltungen, insbesondere in Halbbrückenanwendungen, entwickelt. Das Gerät arbeitet mit einer hohen Spannungstoleranz von bis zu 600 V und eignet sich für den Einsatz in verschiedenen automatisierten Systemen. Er zeichnet sich durch eine robuste Konstruktion mit CMOS-Technologie aus, die die Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen erhöht.

• Liefert einen Spitzenausgangsstrom von 0,5 A für effizientes Schalten

• Ideal für die Ansteuerung von High-Side- und Low-Side-MOSFETs in Halbbrückenkonfigurationen

Der kompatible Versorgungsspannungsbereich für dieses Gerät reicht von 10V bis 20V, was Flexibilität in verschiedenen Anwendungen ermöglicht.

Er enthält intern eingestellte Totzeitfunktionen, die das Timing zwischen High-Side- und Low-Side-Treibern verwalten und so ein Durchschießen in Halbbrückenanwendungen wirksam verhindern.

Der schwebende Kanal ermöglicht einen Bootstrap-Betrieb, so dass der Treiber High-Side-MOSFETs effektiv steuern kann, was bei Hochspannungsanwendungen von entscheidender Bedeutung ist.