Infineon Gate-Treiber MOSFET 600 mA 8-Pin SOIC 20V 90 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6174
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2008SPBF
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 600mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 90ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 170ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Serie | IRS2008 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 600mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 90ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 170ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Serie IRS2008 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
The Infineon IRS2008 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channel. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output driver feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross conduction.
Tolerant to negative transient voltage
Designed for use with bootstrap power supplies
Cross-conduction prevention logic
Matched propagation delay for both channel
Internal set deadtime
High-side output in phase with input
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