Infineon Gate-Treiber MOSFET 600 mA 8-Pin SOIC 20 V 90 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6175
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2008SPBF
- Marke:
- Infineon
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| 150 - 360 | 0,504 € | 7,56 € |
| 375 - 735 | 0,481 € | 7,22 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 226-6175
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2008SPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 600mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 90ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 170ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | IRS2008 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 600mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 90ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 170ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie IRS2008 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IRS2008 ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit einem abhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanal. Proprietäre HVIC- und Latch-ImmunCMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter auf 3,3-V-Logik. Der Ausgangstreiber verfügt über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist.
Tolerant gegenüber negativer Überspannung
Entwickelt für den Einsatz mit Bootstrap-Netzteilen
Stromkreuzung-Verhütungslogik
Angepasste Laufzeit für beide Kanäle
Interne eingestellte Totzeit
High-Side-Ausgang in Phase mit Eingang
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