Infineon Gate-Treiber MOSFET 4 A 1 8-Pin SOIC 20V 30 ns

RS Best.-Nr.:: 226-6209
Herst. Teile-Nr.:: IRS2186STRPBF
Marke:: Infineon

Infineon Gate-Treiber MOSFET 4 A 1 8-Pin SOIC 20V 30 ns

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RS Best.-Nr.:: 226-6209
Herst. Teile-Nr.:: IRS2186STRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Gate-Treiber
	Ausgangsstrom	4A
	Pinanzahl	8
	Gehäusegröße	SOIC
	Abfallzeit	30ns
	Treiber-Typ	MOSFET
	Anzahl der Ausgänge	2
	Anstiegszeit	22ns
	Minimale Versorgungsspannung	10V
	Maximale Versorgungsspannung	20V
	Anzahl der Treiber	1
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	125°C
	Serie	IRS
	Länge	5mm
	Breite	4mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	1.75mm
	Montageart	Oberfläche
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Gate-Treiber
	Ausgangsstrom 4A
	Pinanzahl 8
	Gehäusegröße SOIC
	Abfallzeit 30ns
	Treiber-Typ MOSFET
	Anzahl der Ausgänge 2
	Anstiegszeit 22ns
	Minimale Versorgungsspannung 10V
	Maximale Versorgungsspannung 20V
	Anzahl der Treiber 1
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 125°C
	Serie IRS
	Länge 5mm
	Breite 4mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 1.75mm
	Montageart Oberfläche
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRS2186STRPBF

Gate-Treiber der IRS-Serie von Infineon, 10 V Mindestversorgungsspannung, 4 A Ausgangsstrom – IRS2186STRPBF

Dieser Gate-Treiber bietet eine einkanalige MOSFET-Antriebsfunktion für elektronische Schaltanwendungen und arbeitet mit einer Niederspannungsversorgung zur Steuerung externer Leistungstransistoren. Er ist für die Oberflächenmontage vorgesehen und führt ein schnelles Schalten von MOSFET-Gates innerhalb eines definierten Temperaturbereichs durch.

Merkmale und Vorteile:

• 4 A Spitzen-Ausgangsstrom für starke Gate-Ladungsabgabe
• Versorgungsbereich von 10 V bis 20 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
• Anstiegszeit von 22 ns für schnelle Einschaltumschaltungen
• Abfallzeit von 30 ns für schnelles Abschaltverhalten
• Single-Treiber mit zwei Ausgängen für komplementäre Gate-Steuerung
• RoHS-konforme Konstruktion unterstützt regulatorische Präferenzen

Anwendungsbereich

• Geeignet für die Gate-Ansteuerung in Leistungsumwandlungsmodulen
• Ideal für die Ansteuerung von MOSFETs in Motorsteuerungsstufen
• Wird mit Halbbrücken-Topologien verwendet, die zwei Ausgänge erfordern
• Kann für Schaltnetzteile verwendet werden, die ein schnelles Schalten erfordern
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungen

Welcher Gehäusetyp wird für die Platinenmontage verwendet?

Er wird in einem oberflächenmontierten SOIC-Gehäuse geliefert, das für die automatisierte Platzierung geeignet ist.

In welchem Umgebungsbereich kann er betrieben werden?

Das Gerät arbeitet zwischen -40 °C und 125 °C für unterschiedliche thermische Umgebungen.

Wie viele Stifte sind für die Leiterplattenverlegung verfügbar?

Das Gehäuse bietet acht Stifte für elektrische und Montageanschlüsse.

Unterstützt es die Zertifizierung im Automobilbereich?

Es ist nicht nach Automobilstandards zertifiziert und darf nicht davon ausgehen, dass es diese Anforderungen erfüllt.