Infineon Gate-Treiber -414.2 mA 2 8-Pin DSO-8 25 V 80 ns
- RS Best.-Nr.:
- 244-0870
- Herst. Teile-Nr.:
- 2ED2108S06FXUMA1
- Marke:
- Infineon
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- 2ED2108S06FXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | -414.2mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 80ns | |
| Gehäusegröße | DSO-8 | |
| Anstiegszeit | 200ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 650V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 25V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | 2ED2108S6F | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom -414.2mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 80ns | ||
Gehäusegröße DSO-8 | ||
Anstiegszeit 200ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 650V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 25V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie 2ED2108S6F | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 650-V-Halbbrücken-Gate-Treiber von Infineon mit integrierter Bootstrap-Diode verfügt über die einzigartige Dünnschicht-Silizium-auf-Isolator-Technologie (SOI) von Infineon und Interlock-Funktion mit interner Totzeit von 540 ns und ist bis zu 5 us mit externem Widerstand programmierbar. Die Hoch- und Niederspannungs-Pins sind getrennt für maximale Rastung und Freigabe (2ED21084S06J-Version) und verfügen über getrennte Logik und Masse mit der 2ED21084S06J-Version.
Negative VS transiente Immunität von 100 V
Schwebender Kanal für Bootstrap-Betrieb
Integrierte ultraschnelle Bootstrap-Diode mit niedrigem Widerstand
Schmitt-Trigger-Eingänge mit Hysterese
Dual-Gehäuse-Optionen von DSO-8 und DSO-14
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