Infineon Gate-Treiber -414.2 mA 2 8-Pin DSO-8 25 V 80 ns

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

1,87 €

(ohne MwSt.)

2,226 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2.446 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 180,935 €1,87 €
20 - 480,805 €1,61 €
50 - 980,76 €1,52 €
100 - 1980,71 €1,42 €
200 +0,66 €1,32 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
244-0871
Herst. Teile-Nr.:
2ED2108S06FXUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

Gate-Treiber

Ausgangsstrom

-414.2mA

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

DSO-8

Abfallzeit

80ns

Anstiegszeit

200ns

Minimale Versorgungsspannung

650V

Anzahl der Treiber

2

Maximale Versorgungsspannung

25V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Serie

2ED2108S6F

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der 650-V-Halbbrücken-Gate-Treiber von Infineon mit integrierter Bootstrap-Diode verfügt über die einzigartige Dünnschicht-Silizium-auf-Isolator-Technologie (SOI) von Infineon und Interlock-Funktion mit interner Totzeit von 540 ns und ist bis zu 5 us mit externem Widerstand programmierbar. Die Hoch- und Niederspannungs-Pins sind getrennt für maximale Rastung und Freigabe (2ED21084S06J-Version) und verfügen über getrennte Logik und Masse mit der 2ED21084S06J-Version.

Negative VS transiente Immunität von 100 V

Schwebender Kanal für Bootstrap-Betrieb

Integrierte ultraschnelle Bootstrap-Diode mit niedrigem Widerstand

Schmitt-Trigger-Eingänge mit Hysterese

Dual-Gehäuse-Optionen von DSO-8 und DSO-14

Verwandte Links