Infineon 2ED2108S06FXUMA1 Gate-Treiber -414.2 mA 2 8-Pin DSO-8 25 V 80 ns

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RS Best.-Nr.:
244-0871
Herst. Teile-Nr.:
2ED2108S06FXUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Gate-Treiber

Ausgangsstrom

-414.2mA

Pinanzahl

8

Abfallzeit

80ns

Gehäusegröße

DSO-8

Anstiegszeit

200ns

Minimale Versorgungsspannung

650V

Maximale Versorgungsspannung

25V

Anzahl der Treiber

2

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

2ED2108S6F

Automobilstandard

Nein

Der 650-V-Halbbrücken-Gate-Treiber von Infineon mit integrierter Bootstrap-Diode verfügt über die einzigartige Dünnschicht-Silizium-auf-Isolator-Technologie (SOI) von Infineon und Interlock-Funktion mit interner Totzeit von 540 ns und ist bis zu 5 us mit externem Widerstand programmierbar. Die Hoch- und Niederspannungs-Pins sind getrennt für maximale Rastung und Freigabe (2ED21084S06J-Version) und verfügen über getrennte Logik und Masse mit der 2ED21084S06J-Version.

Negative VS transiente Immunität von 100 V

Schwebender Kanal für Bootstrap-Betrieb

Integrierte ultraschnelle Bootstrap-Diode mit niedrigem Widerstand

Schmitt-Trigger-Eingänge mit Hysterese

Dual-Gehäuse-Optionen von DSO-8 und DSO-14

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