DiodesZetex Gate-Treiber-Modul 690 mA 2 8-Pin SOIC 624 V 20 ns
- RS Best.-Nr.:
- 246-6757
- Herst. Teile-Nr.:
- DGD2190MS8-13
- Marke:
- DiodesZetex
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- DGD2190MS8-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 690mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 20ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | -0.3V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 624V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 690mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 20ns | ||
Minimale Versorgungsspannung -0.3V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 624V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex ist ein Hochspannungs-/Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber, der N-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration antreiben kann. Hochspannungsverarbeitungstechniken ermöglichen die Hochspannungsseite des DGD2005, in einem Bootstrap-Betrieb auf 200 V umzuschalten. Die Ausbreitungsverzögerung von 30 ns (maximal) zwischen den Treibern der Hoch- und Niederspannungsseite ermöglicht ein Hochfrequenzschalten. Der DGD2005 ist in einem platzsparenden SO-8-Gehäuse erhältlich und arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich von –40 °C bis +125 °C.
Große Low-Side-Gate-Treiber-Versorgungsspannung von 10 V bis 20 V Schwimmender High-Side-Treiber im Bootstrap-Betrieb bis 600 V Treibt 2 N-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration Unterspannungssperre für High-Side- und Low-Side-Treiber Erweiterter Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C
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