DiodesZetex DGD2005S8-13 Gate-Treiber-Modul 690 mA 2 8-Pin SOIC 20 V 30 ns

Alle Gate-Treiber anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

5,17 €

(ohne MwSt.)

6,15 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2.450 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 400,517 €5,17 €
50 - 900,491 €4,91 €
100 - 2400,403 €4,03 €
250 - 9900,377 €3,77 €
1000 +0,292 €2,92 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
246-7489
Herst. Teile-Nr.:
DGD2005S8-13
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Gate-Treiber-Modul

Ausgangsstrom

690mA

Pinanzahl

8

Abfallzeit

30ns

Gehäusegröße

SOIC

Minimale Versorgungsspannung

10V

Anzahl der Treiber

2

Maximale Versorgungsspannung

20V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex ist ein Mittelspannungs-/Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber, der N-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration antreiben kann. Hochspannungsverarbeitungstechniken ermöglichen die Hochspannungsseite des DGD2005, in einem Bootstrap-Betrieb auf 200 V umzuschalten. Die Ausbreitungsverzögerung von 30 ns (maximal) zwischen den Treibern der Hoch- und Niederspannungsseite ermöglicht ein Hochfrequenzschalten. Der DGD2005 ist in einem platzsparenden SO-8-Gehäuse erhältlich und arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich von –40 °C bis +125 °C.

Große Low-Side-Gate-Treiber-Versorgungsspannung von 10 V bis 20 V Schwimmender High-Side-Treiber im Bootstrap-Betrieb bis 200 V Treibt 2 N-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration Unterspannungssperre für High-Side- und Low-Side-Treiber Erweiterter Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C

Verwandte Links