Renesas Electronics HIP4086ABZT Gate-Treiber-Modul MOSFET 185 μA 24-Pin SOIC 15 V 10 ns

Alle Gate-Treiber anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

6,94 €

(ohne MwSt.)

8,26 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 991 Einheit(en) mit Versand ab 31. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 496,94 €
50 - 995,98 €
100 - 2495,21 €
250 - 4994,96 €
500 +4,40 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
256-1552
Herst. Teile-Nr.:
HIP4086ABZT
Marke:
Renesas Electronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

Gate-Treiber-Modul

Ausgangsstrom

185μA

Pinanzahl

24

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

10ns

Treiber-Typ

MOSFET

Minimale Versorgungsspannung

7V

Maximale Versorgungsspannung

15V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET-Treiber von Renesas ist ein dreiphasiger N-Kanal-MOSFET-Treiber. Beide Teile sind speziell für die PWM-Motorsteuerung vorgesehen. Diese Treiber verfügen über ein flexibles Eingangsprotokoll zur Steuerung jeder möglichen Schalterkombination. Der Benutzer kann sogar den Durchschlagsschutz für geschaltete Widerstandsanwendungen umschalten.

Unabhängig voneinander treibt 6 N-Kanal-MOSFETs in 3-Phasen-Brückenkonfiguration.

Bootstrap liefert maximale Spannung bis zu 95 V dc mit Bias-Versorgung von 7 V bis 15 V.

1,25 A Spitzenabschaltstrom.

Vom Benutzer programmierbare Totzeit (0,5 μs bis 4,5 μs).

Bootstrap und optionale Ladungspumpe halten die High-Side-Treiber-Bias-Spannung.

Programmierbare Bootstrap-Aktualisierungszeit

Treibt 1000 pF Last mit einer typischen Anstiegszeit von 20 ns und einer Fallzeit von 10 ns

Programmierbarer Unterspannungs-Einstellungspunkt

Verwandte Links