Infineon MOSFET MOSFET 600 mA 8-Pin SOIC 600 V 35 ns

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RS Best.-Nr.:
258-4013
Herst. Teile-Nr.:
IRS2308STRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

600mA

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

35ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

220ns

Minimale Versorgungsspannung

10V

Maximale Versorgungsspannung

600V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

IRS

Automobilstandard

Nein

Der Halbbrückentreiber von Infineon ist ein Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber mit abhängigen hoch- und niedrigseitigen Referenzausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und verriegelungsgeschützte CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis zu 3,3-V-Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom für minimale Treiberkreuzleitung. Der schwimmende Kanal kann zum Antrieb eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die bis zu 600 V betrieben wird.

Schwimmender Kanal für Bootstrap-Betrieb

Gate-Antriebsversorgungsbereich von 10 V bis 20 V

Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle

Kreuzleitungsvermeidungslogik

Passende Ausbreitungsverzögerung für beide Kanäle

Ausgänge in Phase mit Eingängen

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