Infineon Gate-Treiber Gate-Treiber 35 A 25-Pin IQFN 16V

Dieser Gate-Treiber ist ein oberflächenmontiertes IQFN-Gehäuse, das für die Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs in industrieller Leistungselektronik entwickelt wurde. Er arbeitet über einen Niederspannungsversorgungsbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die einen hohen Antriebsstrom und eine erweiterte Betriebstemperatur erfordern. Die Komponente wird in einem kompakten Formfaktor geliefert, der für Leiterplatten-Layouts mit hoher Dichte geeignet ist.

• 35 A Ausgangsstrom für den Antrieb von Hochstrom-MOSFETs
• Versorgungsbereich von 4,25 V bis 16 V ermöglicht flexible Systemspannungen
• RoHS-Konformität für die Ausrichtung auf eingeschränkte Stoffe
• Funktioniert bei Temperaturen von -40 °C bis 125 °C für raue Umgebungen
• 25-polige IQFN reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte und die Komplexität des Routings

• Geeignet für Motor-Wechselrichter-Gate-Antriebsstufen
• Wird mit industriellen Leistungsumwandlungsmodulen verwendet
• Ideal für Halbbrücken- und Vollbrücken-MOSFET-Treiber
• Kann für die Schaltnetzteil-Gate-Steuerung verwendet werden
• Wird für elektronische Steuerplatinen mit hoher Stromstärke verwendet

Das Gerät wird in einem oberflächenmontierten IQFN-Gehäuse mit 25 Stiften und einem flachen Profil von 0,9 mm Höhe geliefert.

Er unterstützt den Betrieb von -40 °C bis zu einer maximalen Temperatur von 125 °C und ermöglicht so den Einsatz in einem breiten Umgebungsbereich.

Die Versorgung muss zwischen einem Minimum von 4,25 V und einem Maximum von 16 V liegen, um die vorgeschriebene Leistung zu erfüllen.

Die 25-polige Zählung bietet mehrere Steuer- und Stromanschlüsse für eine detaillierte MOSFET-Gate-Verwaltung und -Signalisierung.