Infineon Gate-Ansteuerungsmodul 35 A 4.25 → 5.5V 25-Pin PG-IQFN-25

Die OptiMOS-Leistungsstufe von Infineon ist eine integrierte Leistungsstufe, die einen synchronen Buck-Gate-Treiber-IC mit niedrigem Ruhestrom enthält, der mit Steuerungs- und synchronen MOSFETs zusammen mit einer aktiven Diodenstruktur gepackt ist, die einen niedrigen Vsd ähnlich wie eine Schottky-Leistung mit sehr geringer umgekehrter Erholungsladung erreicht. Das Gehäuse ist optimiert für Leiterplattenlayout, Wärmeübertragung, Treiber-/MOSFET-Steuereinheit und minimales Klingeln von Schaltknoten, wenn die Layoutrichtlinien befolgt werden. Die gepaarte Gate-Treiber- und MOSFET-Kombination ermöglicht einen höheren Wirkungsgrad bei niedrigeren Ausgangsspannungen. Die interne MOSFET-Erfassung erreicht eine überlegene Strommessgenauigkeit im Vergleich zu den best-in-Klasse-Controller-basierten Induktor-DCR-Erfassungsmethoden.

Integrierte MOSFET-Stromerkennung und -Meldung mit 5 μA/A Verstärkung
Übertemperaturschutz und thermische Abschaltung
Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz und Flag
High-Side-MOSFET mit Kurzschlusserkennung und Flag
Automatische Nachfüllung auf Bootstrap-Kondensator
Kompatibel mit 3,3-V-Tristate-PWM-Eingang