Infineon MOSFET MOSFET 2 A 2 14-Pin PDIP 600 V 17 ns
- RS Best.-Nr.:
- 260-5178
- Herst. Teile-Nr.:
- IR2110PBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 260-5178
- Herst. Teile-Nr.:
- IR2110PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 2A | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Gehäusegröße | PDIP | |
| Abfallzeit | 17ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 35ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 600V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | IR2110/IR2113 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 2A | ||
Pinanzahl 14 | ||
Gehäusegröße PDIP | ||
Abfallzeit 17ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 35ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 600V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie IR2110/IR2113 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon MOSFET-Gate-Treiber, 20 V Versorgungsspannung, 2,5 A Ausgangsstrom - IR2110PBF
Dieser MOSFET-Gate-Treiber wurde für die Stromversorgung von Hochspannungsanwendungen entwickelt und unterstützt High- und Low-Side-Konfigurationen. Er verfügt über ein kompaktes 14-poliges PDIP-Gehäuse, das eine einfache Integration in verschiedene Schaltungen im Bereich der Leistungselektronik ermöglicht. Mit einer Anstiegszeit von 25 ns und einer Abfallzeit von 17 ns gewährleistet er schnelle Reaktionszeiten, die für ein effektives Energiemanagement unerlässlich sind.
Eigenschaften und Vorteile
• Entwickelt für Bootstrap-Betrieb mit Floating-Channel-Fähigkeit
• Betriebsspannungstoleranz von bis zu 600 V für hohe Zuverlässigkeit
• Kompatibel mit Standard-CMOS- und LSTTL-Logik bis zu 3,3 V
• Angepasste Ausbreitungsverzögerung vereinfacht Hochfrequenzanwendungen
Anwendungen
• Einsatz in Motorsteuerungssystemen für einen reibungslosen Betrieb
• Geeignet für die Ansteuerung von IGBTs in industriellen
• Anwendung in Systemen für erneuerbare Energien wie Solarwechselrichtern
• Einsatz in Automatisierungsanlagen zur Leistungssteigerung
Welche Schutzmechanismen bietet dieser Gate-Treiber, um die Sicherheit der Schaltung zu erhöhen?
Der Treiber verfügt über eine Unterspannungssperre für beide Kanäle, die eine Fehlfunktion aufgrund einer niedrigen Versorgungsspannung verhindert. Sie gewährleistet einen sicheren Betrieb und schützt die zugehörigen Komponenten vor möglichen Schäden.
Wie hilft dieser Treiber bei der Verwaltung von Hochfrequenzschaltungen?
Die angepasste Ausbreitungsverzögerung für die High- und Low-Side-Ausgänge ist entscheidend für die Aufrechterhaltung der Timing-Genauigkeit, die Minimierung von Querleitungen und die Gewährleistung einer effizienten Schaltleistung in Hochfrequenzumgebungen.
Was sollte ich bei der Stromversorgung beachten, wenn ich diesen Treiber verwende?
Der Gate-Treiber benötigt für eine optimale Leistung eine Spannungsversorgung im Bereich von 10V bis 20V. Darüber hinaus ist eine separate Logikversorgung von 3,3 V bis 20 V für den ordnungsgemäßen Betrieb entscheidend, wodurch verschiedene Logikpegel möglich sind.
Kann es effektiv in Systemen eingesetzt werden, die jenseits der Standardspannungen arbeiten?
Ja, dieser Treiber kann effektiv in Systemen mit hohen Spannungsanforderungen betrieben werden und verträgt bis zu 600 V, wodurch er sich für Hochleistungsanwendungen in verschiedenen elektrischen Systemen eignet.
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