STMicroelectronics THT SiC-Schottky Diode, 650V / 20A, 2-Pin TO-220AC Ins
- RS Best.-Nr.:
- 124-1126
- Herst. Teile-Nr.:
- STPSC20065DI
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Schottky-Diode basierend auf Siliziumkarbid (SIC), STMicroelectronics
Eine SiC-Diode (Siliziumkarbid-Diode) ist eine äußerst leistungsstarke Schottky-Diode.
• Keine oder eine vernachlässigbare Sperrverzögerung
• Schaltverhalten temperaturunabhängig
• Speziell für PFC-Anwendungen
Hohe Durchlass-Stoßspannungsfestigkeit
• Schaltverhalten temperaturunabhängig
• Speziell für PFC-Anwendungen
Hohe Durchlass-Stoßspannungsfestigkeit
Dioden und -Gleichrichter, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | TO-220AC Ins |
| Dauer-Durchlassstrom max. | 20A |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch | 650V |
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
| Diode Typ | SiC-Schottky |
| Pinanzahl | 2 |
| Maximaler Spannungsabfall | 1.65V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
| Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 400A |
- RS Best.-Nr.:
- 124-1126
- Herst. Teile-Nr.:
- STPSC20065DI
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