Omron G3VM Oberfläche Halbleiterausgang SPST 30 V / 1.5 A
- RS Best.-Nr.:
- 237-9911P
- Herst. Teile-Nr.:
- G3VM-31QVH(TR05)
- Marke:
- Omron
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Omron | |
| Laststrom max | 1.5A | |
| Produkt Typ | Halbleiterausgang | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Lastspannung max | 30V | |
| Lastspannung min | 30V | |
| Serie | G3VM | |
| Anschlusstyp | Leiterplatten-Anschlussklemme | |
| Kontakt Konfiguration | SPST | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Schaltfunktion | AC/DC schaltend | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Leckstrom im "Aus"-Zustand | 1μA | |
| Ausgangstyp | MOSFET | |
| Kapazität | 120pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Omron | ||
Laststrom max 1.5A | ||
Produkt Typ Halbleiterausgang | ||
Montageart Oberfläche | ||
Lastspannung max 30V | ||
Lastspannung min 30V | ||
Serie G3VM | ||
Anschlusstyp Leiterplatten-Anschlussklemme | ||
Kontakt Konfiguration SPST | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Schaltfunktion AC/DC schaltend | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Leckstrom im "Aus"-Zustand 1μA | ||
Ausgangstyp MOSFET | ||
Kapazität 120pF | ||
- Ursprungsland:
- JP
Das kleinste S-VSON(L)-Gehäuse-MOSFET-Relais der Welt von Omron mit strombegrenzenden internen Widerstand auf der Eingangsseite. Diese MOSFET-Relais bieten aufgrund ihres Funktionsprinzips eine hervorragende E/A-Isolierung. Er wandelt die Spannung in das Licht um und überträgt sie durch das Lichtsignal. Daher sind Eingang und Ausgang isoliert. Die Standardmodelle bieten 2500 V eff zwischen Eingang und Ausgang. Es sind auch hochwertige Produkte mit 5000 V ac erhältlich. 3.750-V-ac-Produkte wurden ebenfalls in die SOP-Gehäuseserie aufgenommen. Da MOSFET-Relais keine mechanischen Kontakte haben, ist es möglich, Schaltgeräusche in Ihren Anwendungen zu eliminieren, indem ein MOSFET anstelle eines elektromechanischen Relais verwendet wird. Im Vergleich zum Triac reduziert der MOSFET die Totzone erheblich. Die Eingangswellenform des mikroanalogen Signals leidet nicht wie bei einem Triac und wird im Grunde ohne Verzerrung in Ausgangswellenform umgewandelt.
Extrem kleine Größe und Gewicht
Niedriger Treiberstrom
Lange Lebensdauer
Geringer Leckstrom
Ausgezeichnete Stoßfestigkeit
Hochgeschwindigkeitsschalten
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